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高压硅堆HVDIODE厂家生产正品好货2CL2-1000KV/2A工频
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产品描述
产品特点:
1、低反向漏电流，瞬态10ms正向浪涌电流保护；
2、耐冲击电压，具有雪崩电压击穿保护特性；
3、高耐热性能，PN结点温度范围高达125℃—+175℃；
4、可选先进的高温钝化芯片封装技术；
5、优良的持续放电性；
6、工艺环保，符合国际标准；
7、严格执行ISO9001国际质量管理体系把控产品品质；
8、新型模塑封装技术，确保产品的耐潮湿性能，可承受严酷恶劣的使用环境；
9、亦可根据需要设计定制客户的专属产品；
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极 限 值 Absolute Maximum Ratings |
参数名称 Item |
符号 Symbol |
单位 Unit |
测试条件 Conditions |
数值 Voltage |
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反向重复峰值电压 Repetitive Peak Backward Voltage |
Vrrm | KV | Ta=25℃ Ir=0.1μA | 2-1000 | ||
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反向工作峰值电压 Peak Working Backward Voltage |
Vrwm | KV | Ta=25℃ Ir=0.1μA | 2-1000 | ||
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正向平均电流 Average Forward Current |
If(AV) | A |
正弦半波50Hz，电阻负载，Tbreak=50℃ （50Hz Half-sine Wave , Resistance load @Tbreak=50℃） |
2 | ||
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反向恢复时间 Backward Recovery Time |
Trr | nS | -- | |||
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正向(不重复)浪涌电流 Surge Forward Current |
Ifsm | A |
正弦半波持续时间0.01S 50Hz 0.01S @ Half-Sine wave 50Hz |
120 | ||
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工作环境温度 Operating Ambient Temperature |
Ta | ℃ | -40～+150 | |||
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存贮温度 Storage Temperature |
Tstg | ℃ | -40～+120 | |||
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电 特 性 Electrical Characteristics |
正向峰值电压 Forward Peak Voltage |
Vfm | V | ≥2.4-1200 | ||
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反向峰值电流 Backward Peak Current |
Irrm1 | μA | @ Ta=25℃ VRM=VRRM | 5.0 | ||
| Irrm2 | μA | @ Ta=100℃ VRM=VRRM | 50.0 | |||