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HVDIODE厂家生产正品100ns高频QLGN(10-200KV)/1A特种多级高压整流桥

HVDIODE厂家生产正品100ns高频QLGN(10-200KV)/1A特种多级高压整流桥

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产品描述
产品特点:
1、低反向漏电流,瞬态10ms正向浪涌电流保护;
2、耐冲击电压,具有雪崩电压击穿保护特性;
3、高耐热性能,工作结温-50℃—+175℃;
4、可选先进的高温钝化芯片封装技术;
5、优良的持续放电性;
6、工艺环保,符合国际标准;
7、严格执行ISO9001国际质量管理体系把控产品品质;
8、新型模塑封装技术,确保产品的耐潮湿性能,可承受严酷恶劣的使用环境;
9、高频快速响应特性;
10、亦可根据需要设计定制客户的专属产品;
 

极 限 值

Absolute

Maximum

Ratings

  参数名称
Item
符号
Symbol
单位
Unit
测试条件
Conditions
数值
Voltage
反向重复峰值电压
Repetitive Peak Backward Voltage
Vrrm KV Ta=25℃  Ir=0.1μA 10-200
反向工作峰值电压
Peak Working Backward Voltage
Vrwm KV Ta=25℃  Ir=0.1μA 10-200
正向平均电流
Average Forward Current
If(AV) A 正弦半波50Hz,电阻负载,Tbreak=50℃
(50Hz Half-sine Wave , Resistance load @Tbreak=50℃)
1
反向恢复时间
Backward Recovery Time
Trr nS   100
正向(不重复)浪涌电流
Surge Forward Current
Ifsm A 正弦半波持续时间0.01S  50Hz
0.01S @ Half-Sine wave  50Hz
20
工作环境温度
Operating Ambient Temperature
Ta   -50~+150
存贮温度
Storage Temperature
Tstg   -40~+120

电 特 性

Electrical

Characteristics

正向峰值电压
Forward Peak Voltage
Vfm V   ≥20-400
反向峰值电流
Backward Peak  Current
Irrm1 μA @ Ta=25℃ VRM=VRRM 5.0
Irrm2 μA @ Ta=100℃ VRM=VRRM 50.0